Piezas de Cerámica SiC

Las cerámicas de carburo de silicio (SiC) presentan una dureza excepcional, una resistencia al desgaste superior y una excelente conductividad térmica. Mantiene una alta resistencia y estabilidad bajo temperaturas extremadamente altas y entornos corrosivos, con un rendimiento mecánico destacado.
Ampliamente aplicado en sellos mecánicos, componentes de bombas, equipos de semiconductores y piezas de desgaste industrial. Mecanizado personalizado y fabricación de precisión están disponibles según sus especificaciones.

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Parámetros
Soporte

SiC Unido por Óxido

Categoría	Artículo	Unidad	Valor
Chemical Composition	SiC ≥	%	90
Propiedad Física	Temp. Máxima de Servicio	℃	1500
	Refractariedad ≥	SK	39
	Refractariedad bajo carga (2kg/cm², T2) ≥	℃	1750
	Módulo de Ruptura a Temp. Ambiente ≥	kg/cm²	500
	Módulo de Ruptura a 1400℃ ≥	kg/cm²	100
	Resistencia a la compresión ≥	kg/cm²	1300
	Expansión Térmica a 1000℃	%	0.42-0.48
	Porosidad Aparente	%	7-8
	Densidad Aparente	g/cm³	2.70-2.75
	Conductividad Térmica a 1000℃	kcal/m·hr·℃	13.5-14.5
Las funciones y características anteriores pueden diseñarse según los requisitos reales de los clientes

Carburo de Silicio (RBSiC)

Datos Técnicos de SiC:

Propiedades	SiC Unido por Reacción (SiSiC)	SiC Recristalizado (R-SiC)	SiC Unido por Nitruro (NSIC)
Contenido de SiC (%)	90~92	>99	≥75
Contenido de Si (%)	8~10	0	0
Si₃N₄ content (%)	0	0	≥23
Densidad (g/cm³)	>3.02	2.65–2.75	2.65–2.85
Porosidad (%)	<0.1	15–18	13–15
Resistencia a la flexión a 20℃ (MPa)	260	80–100	160–180
Resistencia a la flexión a 1200℃ (MPa)	280	90–110	170–180
Resistencia a la compresión a 20℃ (MPa)	900	≥300	580
Dureza (kg/mm²)	2400	1800–2000	2000–3000
Conductividad térmica a 1200℃ (W·m^-1·K^-1)	45	36	19.6
Coeficiente de expansión térmica a 1200℃ (α×10^-6/℃)	4.5	4.6	4.7
Módulo de elasticidad a 20℃ (GPa)	330	280	170–190
Temperatura máxima de operación (℃)	1380	1650	1450

SiC Unido por Nitruro

Datos Técnicos de SiC:

Propiedades	SiC Unido por Reacción (SiSiC)	SiC Recristalizado (R-SiC)	SiC Unido por Nitruro (NSIC)
Contenido de SiC (%)	90~92	>99	≥75
Contenido de Si (%)	8~10	0	0
Si₃N₄ content (%)	0	0	≥23
Densidad (g/cm³)	>3.02	2.65–2.75	2.65–2.85
Porosidad (%)	<0.1	15–18	13–15
Resistencia a la flexión a 20℃ (MPa)	260	80–100	160–180
Resistencia a la flexión a 1200℃ (MPa)	280	90–110	170–180
Resistencia a la compresión a 20℃ (MPa)	900	≥300	580
Dureza (kg/mm²)	2400	1800–2000	2000–3000
Conductividad térmica a 1200℃ (W·m^-1·K^-1)	45	36	19.6
Coeficiente de expansión térmica a 1200℃ (α×10^-6/℃)	4.5	4.6	4.7
Módulo de elasticidad a 20℃ (GPa)	330	280	170–190
Temperatura máxima de operación (℃)	1380	1650	1450

R-SiC Recristalizado

Datos Técnicos de SiC:

Propiedades	SiC Unido por Reacción (SiSiC)	SiC Recristalizado (R-SiC)	SiC Unido por Nitruro (NSIC)
Contenido de SiC (%)	90~92	>99	≥75
Contenido de Si (%)	8~10	0	0
Si₃N₄ content (%)	0	0	≥23
Densidad (g/cm³)	>3.02	2.65–2.75	2.65–2.85
Porosidad (%)	<0.1	15–18	13–15
Resistencia a la flexión a 20℃ (MPa)	260	80–100	160–180
Resistencia a la flexión a 1200℃ (MPa)	280	90–110	170–180
Resistencia a la compresión a 20℃ (MPa)	900	≥300	580
Dureza (kg/mm²)	2400	1800–2000	2000–3000
Conductividad térmica a 1200℃ (W·m^-1·K^-1)	45	36	19.6
Coeficiente de expansión térmica a 1200℃ (α×10^-6/℃)	4.5	4.6	4.7
Módulo de elasticidad a 20℃ (GPa)	330	280	170–190
Temperatura máxima de operación (℃)	1380	1650	1450

Producción y Entrega
Capacidad de Producción: Capacidad de producción flexible para componentes de cerámica avanzada estándar y personalizada
Plazo de Entrega Típico: Muestras 7–12 días | Producción en masa 15–45 días, según especificaciones del producto y volumen del pedido
Envío: Opciones FOB / EXW / CIF disponibles por mar, aire o expreso
Embalaje: Embalaje protector estándar de exportación diseñado para un transporte internacional seguro

Desde planos técnicos y muestras hasta especificaciones personalizadas, nuestros equipos de ingeniería y producción apoyan a los clientes durante todo el proceso — desde el desarrollo de prototipos hasta la producción en masa estable.